上一篇我們給大家介紹了幾種應(yīng)用常見(jiàn)的失效模式，今天做一下自動(dòng)推拉力測(cè)試儀應(yīng)用中失效模式分析和失效機(jī)制。

影像辦識(shí)協(xié)助執(zhí)行影像量測(cè)或定義所得結(jié)果的失效模式。對(duì)于球推力和線拉力，智慧影像演算法計(jì)算殘留鍵結(jié)材質(zhì)在區(qū)域內(nèi)的百分比，并依規(guī)范定義出失效模式。

有三種方式對(duì)結(jié)果進(jìn)行分級(jí)

影像辦識(shí)

分級(jí)運(yùn)行

自動(dòng)分級(jí)

一、影像辦識(shí)

快速地檢視獲得的影像并指定其失效模式。也可以量測(cè)線或形狀 (矩形, 圓, 橢圓), 或：

距離

長(zhǎng)度

圓面積

矩形面積

對(duì)于更進(jìn)階的影像辦識(shí),，過(guò)濾， 分割， 外形偵測(cè)，您可以使用自動(dòng)影像辦識(shí)系統(tǒng)(AOI)。 AOI使您可以分析測(cè)試結(jié)果并量測(cè)物件間的特微和角度。

二、分級(jí)運(yùn)行

一個(gè)更具效率且可靠的分級(jí)方式是執(zhí)行分級(jí)運(yùn)行功能. 操作員在一批測(cè)試完成后做一次進(jìn)行分級(jí), 使用顯微鏡或攝像頭. 或可選擇, 自動(dòng)影像辦識(shí)系統(tǒng)。

三、全自動(dòng)分級(jí)

操作員不需在自動(dòng)化測(cè)試完成后進(jìn)行評(píng)級(jí)。有影像軟體與深度學(xué)習(xí)， 訓(xùn)練神經(jīng)網(wǎng)路為您做影像處理是有可能的。 借由事先定義失效模式，影像偵測(cè)可執(zhí)行全自動(dòng)分級(jí)。

失效機(jī)制

故障機(jī)制的原理：第二個(gè)球的旋轉(zhuǎn)不是自由的。這需要在接觸點(diǎn)處滑動(dòng)一些，因?yàn)榍蛟诮佑|點(diǎn)變形。當(dāng)行中的第二個(gè)球發(fā)生故障時(shí)，其受限的運(yùn)動(dòng)會(huì)產(chǎn)生多數(shù)焊接故障，即使第一個(gè)球剪切了它。排中第三個(gè)球的運(yùn)動(dòng)受到的限制較少，因?yàn)樗傻诙€(gè)球加載，而可以輕易移動(dòng)。第三排的負(fù)載突然釋放導(dǎo)致這些球飛出。因此，在第一行被推掉后，我們又回到了加載狀態(tài)。第一個(gè)球也可能在第三個(gè)球推掉后飛走，但它確實(shí)傾向于粘在推刀上。在這種情況下，會(huì)在行中的第四個(gè)球處重復(fù)循環(huán)。請(qǐng)注意，典型重要的推力高度相對(duì)于通常由前一個(gè)球測(cè)試的球并不太重要。因此，估計(jì)剪切高度在球高 1% 到 15% 之間是可以接受的。
芯片的開(kāi)發(fā)與進(jìn)步構(gòu)成尺寸和厚度的變化。最新的晶元封裝設(shè)計(jì)需要推棧芯片或硅粘合到硅上，這會(huì)導(dǎo)致組件彼此的形狀及其粘合強(qiáng)度發(fā)生變化。

三種設(shè)計(jì)使測(cè)試變得困難：

降低芯片厚度與芯片粘合面積的比率

薄芯片隨芯片和基板翹曲

硅直接粘合到硅或其他類(lèi)似材料上（增加粘合強(qiáng)度）

（1）降低芯片厚度與芯片粘合面積的比率

降低芯片厚度與芯片粘合面積的比率與剪切測(cè)試有關(guān)。 實(shí)際問(wèn)題是隨著芯片變薄，將測(cè)試負(fù)載區(qū)域減少到粘合區(qū)域。推刀將測(cè)試載荷施加到芯片的側(cè)面區(qū)域。

當(dāng)芯片較薄時(shí)，施加測(cè)試載荷的區(qū)域較小。隨著芯片厚度的減小，會(huì)出現(xiàn)這一點(diǎn)，推刀和芯片之間的測(cè)試應(yīng)力，比粘結(jié)應(yīng)力更早達(dá)到峰值。芯片在粘合失效之前失效，因此不測(cè)量粘接強(qiáng)度。 

（2）薄芯片隨芯片和基板翹曲

翹曲的芯片和基板會(huì)增加芯片上的變形負(fù)載 ，從而導(dǎo)致其在粘合失效之前斷裂。

（3）硅直接粘合到硅或其他類(lèi)似材料上（增加粘合強(qiáng)度）

由于粘接的面積遠(yuǎn)大于測(cè)試載荷的面積，因此芯片將在粘接前的測(cè)試載荷施加點(diǎn)失效。因此，通常無(wú)法測(cè)試這樣的樣品。